Foto ve termal kapasitans teknikleriyle silisyum ince filmlerin yerel durumlarının belirlenmesi

Işıyan boşalım sistemi, gerekli bütün yan çevre birimleriyle birlikte kuruldu; ayarlanıp, fosfor katkılı hidrojenlenmiş amorf silisyum (n-türü a-Si:H) ince film büyütülmesi için kalibre edildi. Bu doğrultuda, elektron demeti ve iyon çığlama (sputtering) düzenekleri kuruldu ve krom (Cr), paladyum (Pd) gibi parlak metallerin buharlaştınlabilmesi için ayarlandı. Yukarıda sözü edilen düzenekler kullanılarak fosfor katkılanmış a-Si:H filmler üzerine Pd ve Cr Schottky engelleri üretildi. Bu diyodlar I-V ve C-V gibi yaygın ölçümlerle belirlendi. Issız bölge admittansl frekans, sıcaklık, voltaj gibi parametreler işlevinde çözümlendi. C-$\\omega$-T, DLTS gibi ısıl uyarmalı sığa tabanlı teknikler, yerelleşmiş düzeylerin belirlenmesinde başarıyla- uygulandı. Ayrıca çift demet fotokapasitans düzeneği kuruldu ve katkılanmış a-Si:H filmlerin band aralığında yerelleşmiş derin düzey dağılımının çıkarılmasında kullanıldı.