A3B3C26 ferroelektrik yarı iletkenlerinde faz geçişlerin belirlenmesi için yeni bir optiksel yöntem geliştirilmesi

Uzun zamandır, yapısal faz geçişine uğraması, ferroelektrik ve yarı iletken özelliklerin bir arada bulunmasından ve dış etkiler altında incelenen değişik parametrelerinin verdiği özel sonuçlardan dolayı tabakalı TlGaSe2 ve TIInS2 kristallerine olan ilgi artmıştır. Literatürde de sık sık rastlanıldığı gibi bu kristallerin faz geçişlerinin belirlenmesi için kullanılan yöntemler genellikle yüksek maliyetli cihazlar ve zahmetli metodlar içermektedir. Dolayısıyla faz geçişlerinin belirlenmesinin önemli olduğu kadar da zahmetli olduğunu da söylemek yanlış olmayacaktır. Bu sebeplerden ötürü faz geçişlerinin belirlenmesi için yeni bir optiksel yöntem önerilmektedir. Bu çalışmada dahil oldukları simetri grubunun özelliklerinden ötürü oda sıcaklığında birbirinden küçük açılarla ayrılan iki adet optik eksene sahip TlGaSe2 ve TlInS2 kristallerinin ışık geçirgenliği verileri ve görüntülerinin 10-300 K aralığında sıcaklığa bağlı değişimlerinin incelenerek faz geçiş sıcaklıkları etrafındaki davranışlarının belirlenmesi bu değişimlerden yola çıkılarak kristal kusurları ve faz geçişleri üzerine çeşitli yaklaşımlarda bulunulması düşünülmektedir. Bu yaklaşımların yapılacak olan diğer ölçüm sonuçları (tavlama etkisi öncesi ve sonrası XRD, elektriksel ve optiksel ölçümleri) ve literatür ile kıyaslanması ile geliştirilmesi planlanan yöntem ve düzeneğin test edilmesi planlanmaktadır.

For a long time, interest in layered TlGaSe2 and TIInS2 crystals has increased due to structural phase transition, coexistence of ferroelectric and semiconducting properties, and special results of various parameters studied under external influences. As is often the case in literature, the methods used to determine the phase transitions of these crystals generally involve costly devices and laborious methods. So, it would not be wrong to say that the determination of phase transitions is also as troublesome as it is important. For these reasons, a new optical method is proposed for the determination of phase transitions. Because of the characteristics of the group of symmetry they are involved in, the behavior of the TlGaSe2 and TlInS2 crystals with two optical axes separated by small angles at room temperature is investigated and their behavior around the phase transition temperature is investigated in the range of 10-300 K. The crystal defects and phase transition are considered to be used in various approaches. It is planned to test the method and apparatus that are planned to be developed by comparing these measurements with other measurement results (XRD, electrical and optical measurements before and after annealing effect) and the literature.