Yazar "Coşkun, Emre" seçeneğine göre listele

Listeleniyor 1 - 2 / 2
  • Küçük Resim
    Öğe
    Improvement of electrical characteristics of SnSe/Si heterostructure by integration of Si nanowires
    (Elsevier B.V., 2021) Coşkun, Emre; Güllü, H. H.; Emir, C.; Parlak, M.
    In this study, the effects of the nanowire geometry on Si wafer substrate were investigated for the SnSe/Si-nanowire heterojunction device and the obtained results were compared with the one fabricated on planar Si surface. Nanowires on Si surface were produced by metal-assisted etching method and the SnSe film layer was deposited by thermal evaporation technique. On both Si and glass surfaces, deposited film shows polycrystalline and single SnSe phase. From optical transmission measurements, optical band gap of this film was determined as 1.36 eV in a good agreement with the literature. All SnSe/Si heterostructures were found in a p-n diode behavior and the ideality factor and series resistance values were calculated as 2.40, 547 Ω, and 3.71, 1.57 × 103 Ω, for SnSe/Si-nanowire and SnSe/Si heterojunctions, respectively. As a result, an improvement in device characteristics concerning the planar Si structure was found by utilizing Si nanowire structure.
  • [ X ]
    Öğe
    İnce filmlerin optik özelliklerinin integral dönüşüm yöntemleri ile belirlenmesi
    (Çanakkale Onsekiz Mart Üniversitesi, 2012) Coşkun, Emre; Özder, Serhat
    Bu çalışmada sürekli dalgacık dönüşümü (SDD) ve Stockwell dönüşümü (SD) kullanılarak, oda sıcaklığında, görünür bölge yakın kırmızı altı bölge aralığında, ince filmlerin ve sıvı kristal hücrelerin optik özellikleri sürekli olarak belirlenmiştir. Literatürde, SDD ve SD metotları, zamana bağlı sinyallerin frekans bilgilerini elde etmek için kullanılır. Bu çalışmada, SDD ve SD gibi, integral dönüşüm metotları, ince filmlerin ve sıvı kristal hücrelerin optik özelliklerinin belirlenebileceği bir metot olarak geliştirilmiştir. Yalıtkan ve yarıiletken (soğurucu) filmlerin geçirgenlik spektrumlarının tekrarlama frekansları kırılma indisiyle, sıvı kristal hücrelerin geçirgenlik spektrumlarının tekrarlama frekansları çift kırılımla değişir. Bu çalışmanın amacı çalışılan geçirgenliğin tekrarlama frekansının belirlenmesi ve tekrarlama frekansı bilgisi kullanılarak incelenen örneğin kırılma indisinin veya çift kırılımının belirlenmesidir. Bu amaç için yalıtkan filmler, yarıiletken filmler ve sıvı kristal hücreler için teorik geçirgenlik sinyalleri oluşturuldu. SDD ve SD metotları kullanılarak teorik geçirgenliklerin tekrarlama frekansları belirlendi, bu durum bölüm 4'de ayrıntılarıyla çalışıldı. Simülasyon çalışmalarında SDD metodu, Morlet, Paul ve DOG dalgacıkları için incelendi. Simülasyon çalışmalarının sonuçlarına göre geliştirilen metotlar yalıtkan filme örnek olarak mikaya, yarıiletken filme örnek olarak hidrojenlenmiş amorf silisyum karbür filme ve sıvı kristale örnek olarak 5CB kodlu sıvı kristal hücreye uygulanmıştır. Sonuç olarak mika ve hidrojenlenmiş amorf silisyum karbür filmlerin kırılma indisleri ve 5CB kodlu sıvı kristal hücrenin çift kırılımı sürekli olarak belirlenmiştir. Geliştirilen metotların gürültülü sinyal analizi ve hata analizleri de çalışılmıştır.