Arşiv logosu
  • Türkçe
  • English
  • Giriş
    Yeni kullanıcı mısınız? Kayıt için tıklayın. Şifrenizi mi unuttunuz?
Arşiv logosu
  • Koleksiyonlar
  • Sistem İçeriği
  • Analiz
  • Talep/Soru
  • Türkçe
  • English
  • Giriş
    Yeni kullanıcı mısınız? Kayıt için tıklayın. Şifrenizi mi unuttunuz?
  1. Ana Sayfa
  2. Yazara Göre Listele

Yazar "Jonsson, P." seçeneğine göre listele

Listeleniyor 1 - 2 / 2
Sayfa Başına Sonuç
Sıralama seçenekleri
  • Yükleniyor...
    Küçük Resim
    Öğe
    Extended relativistic multiconfiguration calculations of energy levels and transition properties in singly ionized tin
    (Pergamon-Elsevier Science Ltd, 2023) Atalay, Betül; Jonsson, P.; Brage, T.
    Multiconfiguration Dirac-Hartree-Fock (MCDHF) and relativistic configuration interaction (RCI) calculations are performed for 22 states in singly ionized tin (Sn II) belonging to the 5 s 2 ns (n = 6 , 7) , 5 s 2 nd (n = 5 , 6) , 5 s 5 p 2 even parity configurations and the 5 s 2 np (n = 5 , 6 , 7) , 5 s 2 4 f odd parity configurations. Valence-valence and core-valence correlation effects are taken into account through configuration state function (CSF) expansions. Complete and consistent data sets of level energies, wavelengths, oscillator strengths, lifetimes and transition rates among all these states are given. The results are compared with existing theoretical and experimental results. There is an excellent agreement for calculated excitation energies with experimental data from the NIST database. Lifetimes and transition rates are also in agreement with the results from previous calculations and available measurements for most of the transitions.
  • [ X ]
    Öğe
    MCDHF and RCI calculations of energy levels, lifetimes, and transition rates in Si III and Si IV
    (Edp Sciences S A, 2019) Atalay, B.; Brage, T.; Jonsson, P.; Hartman, H.
    We present extensive multiconfiguration Dirac-Hartree-Fock and relativistic configuration interaction calculations including 106 states in doubly ionized silicon (Si III) and 45 states in triply ionized silicon (Si IV), which are important for astrophysical determination of plasma properties in different objects. These calculations represents an important extension and improvement of earlier calculations especially for Si III. The calculations are in good agreement with available experiments for excitation energies, transition properties, and lifetimes. Important deviations from the NIST-database for a selection of perturbed Rydberg series are discussed in detail.

| Çanakkale Onsekiz Mart Üniversitesi | Kütüphane | Açık Erişim Politikası | Rehber | OAI-PMH |

Bu site Creative Commons Alıntı-Gayri Ticari-Türetilemez 4.0 Uluslararası Lisansı ile korunmaktadır.


Çanakkale Onsekiz Mart Üniversitesi, Çanakkale, TÜRKİYE
İçerikte herhangi bir hata görürseniz lütfen bize bildirin

DSpace 7.6.1, Powered by İdeal DSpace

DSpace yazılımı telif hakkı © 2002-2026 LYRASIS

  • Çerez Ayarları
  • Gizlilik Politikası
  • Son Kullanıcı Sözleşmesi
  • Geri Bildirim