Yazar "Güneş, İbrahim" seçeneğine göre listele

Listeleniyor 1 - 3 / 3
  • Küçük Resim
    Öğe
    Fotovoltaik uygulamalar için CZTS tabakaların ultrasonik sprey piroliz yöntemi ile büyütülmesi ve optimizasyonu
    (Çanakkale Onsekiz Mart Üniversitesi, Lisansüstü Eğitim Enstitüsü, 2022) Güneş, İbrahim; Bilgin, Vildan; Sarıca, Emrah
    CZTS ince filmlerinin fotovoltaik aygıt performansını iyileştirmek için kristal yapısının, olası ikincil faz oluşumunun, kusurların ve Cu/Zn katyon düzensizliği etkilerinin daha iyi anlaşılması gerekir. Bu doğrultuda, stokiyometrik olmayan (Cu-fakir ve Zn-Zengin) bir püskürtme çözeltisi farklı alttaş sıcaklıklarında (350 °C, 400 °C, 450 °C ve 500 °C) cam alttaşlar üzerine püskürtülerek kesterit CZTS ince filmleri elde edilmiştir. Sonrasında ise elde edilen CZTS ince filmlerinin opto-elektriksel özelliklerinin yanı sıra ikincil fazlar ve Cu/Zn katyon düzensizliği gibi yapısal homojensizlikler üzerine alttaş sıcaklığının etkisi deneysel olarak incelenmiştir. XRD ve Raman spektroskopisi analizleri ile çöktürülen ince filmlerin yapısal özellikleri araştırıldı. Raman spektrumlarına uygulanan Lorentzyen ters evrişimi ile 14 Raman titreşim modu tespit edildi. Ayrıca, bu modlara ait fazlardan CZTS'nin düzenli-kesterit fazı ile düzensiz-kesterit fazının birlikte kristalleştiği tespit edildi. XPS analizleri ile CZTS bileşiğini oluşturan elementlerin oksidasyon durumları belirlendi. EDS verileri stokiyometri-dışı model çerçevesinde değerlendirilerek baskın nokta kusurları tartışıldı. SEM ve AFM görüntüleri ile ince filmlere ait yüzey morfolojileri araştırıldı. Optik analizler çerçevesinde, bant aralıkları ve Urbach enerjilerinin alttaş sıcaklığındaki artışla düştüğü görüldü. Elektriksel analizler neticesinde tüm filmlerin p-tipi elektriksel iletkenliğe sahip olduğu ve elektriksel özdirenç değerlerinin 2.93x101-8.01x101 cm aralığında değiştiği tespit edildi. Bu tez çalışması, yüksek verimlilikli fotovoltaik uygulamalar için CZTS ince filmlerin fiziksel özelliklerinin alttaş sıcaklığına bağlı değişiminin yeni bir detaylı tartışmasını sunmaktadır.
  • [ X ]
    Öğe
    Plazma ile büyütülmüş hidrojenlenmiş amorf silisyum karbür ince filmlerin fotolüminesans özelliklerinin incelenmesi
    (Çanakkale Onsekiz Mart Üniversitesi, 2012) Güneş, İbrahim; Sel, Kıvanç
    Bu çalışmada, 30 mW/cm2 (Düşük güç (DG)) ve 90 mW/cm2 (Yüksek güç (YG)) olmak üzere iki farklı radyo frekansı (RF) güç yoğunluğunda ve dört farklı karbon içeriğinde (x), plazma destekli kimyasal buhar biriktirme (PDKBB) sistemi ile büyütülmüş olan hidrojenlenmiş amorf silisyum karbür (a-SiCx:H) ince filmlerin fotolüminesans spektrumları incelendi ve ışıma mekanizmaları analiz edildi.Oda sıcaklığında ölçülen fotolüminesans spektrumlarına Gauss eğrileri uydurularak fotolüminesans maksimumları (EL) ve tam genişlik yarı maksimumları (?EL) hesaplandı ve morötesi-görünür bölge geçirgenlik spektroskopisi ile belirlenmiş olan optik enerjiler ve Urbach enerjileri ile karşılaştırılarak analiz edildi. Filmlerin, X-ışını foto-elektron spektroskopisi ile belirlenmiş olan karbon içeriğinin artması sonucunda EL ve optik enerjilerin orantılı olarak arttığı; bu artışın YG filmlerde DG filmlere kıyasla daha fazla olduğu gözlemlendi. a-SiCx:H filmlerin ışıma mekanizmaları, `elektron-fonon çiftleşmesi modeli' ve `statik düzensizlik modeli' çerçevesinde araştırıldı. DG filmler için elektron-fonon çiftleşmesi modelinin ve YG filmler için ise statik düzensizlik modelinin baskın model olduğu belirlendi. a-SiCx:H filmlerin oda sıcaklığındaki fotolüminesans spektrumları, empirik Gauss fonksiyonları ile tanımlanan iletim ve değerlik bant uzantı durum yoğunluklarının bileşke durum yoğunluğu yaklaşımı ile modellendi. Işıma modeli, ölçülen fotolüminesans spektrumlarına nümerik olarak uygulandı ve modelin deney verileri ile uyuştuğu görüldü.
  • Küçük Resim
    Öğe
    Sol-gel derived ZnO:Sn thin films and fabrication of n-ZnO:Sn/p-Si heterostructure
    (Elsevier B.V., 2021) Sarıca, Emrah; Güneş, İbrahim; Akyüz, İdris; Bilgin, Vildan; Ertürk, Kadir
    In this work ZnO:Sn thin films were deposited onto glass and p-Si substrates by spin coating of prepared sols which contains different amounts of Zn(CH3COO)2·2H2O and SnCl2 (0, 5, 10 and 15%). Physical properties of ZnO films were examined as a function of SnCl2 in prepared sols. In addition to that, heterostructure examinations were also carried out by depositing all films on p-Si substrates as well. XRD studies revealed that all films have c-axis orientation with crystallite sizes between 38 and 47 nm. AFM and SEM images showed that morphology of the films remarkably deteriorated with the increase in amount of SnCl2 in sol. Optical transmittance and absorbance spectra showed that films have high transmittance and low absorbance in the visible region. Besides, optical band gap increased from 3.27 eV to 3.37 eV. Additional band gap energies were determined for 10% and 15% Sn doped ZnO films. Room temperature photoluminescence spectra for all films were deconvoluted for the evaluation of all emission bands and it was noted that incorporation of SnCl2 into sol led to enhancement of UV-blue emission bands and caused emission bands related to oxygen vacancies to diminish. Four-point-probe measurements revealed that electrical resistivity of ZnO:Sn films increased from 3.20 × 100 Ωcm to 2.82 × 104 Ωcm and diode ideality factor of Ag/ZnO:Sn/p-Si/Au heterostructure was calculated to be in the range of 2.14–4.59 while zero-bias barrier height is in the range of 0.63–0.78 eV.