Özder, SerhatKuş, Esra2025-01-262025-01-262019https://tez.yok.gov.tr/UlusalTezMerkezi/TezGoster?key=npGs9H39x7G6401x51yqpLB4_ph717ydXSc67oiNxjMgqmptcEpnKJ0UifJfQ8Pihttps://hdl.handle.net/20.500.12428/8142Fen Bilimleri Enstitüsü, Fizik Ana Bilim DalıBu tez kapsamında, II-VI grubu bileşiklerinden olan ZnS ince filmleri, opto-elektronik alanında, oda sıcaklığında 3,5-3,7 eV gibi geniş band aralığına sahip olmasından dolayı görünür bölgede ışık yayan diyot olarak kullanılmakta ve çeşitli elektronik cihazların tasarımında da umut verici bir malzemedir. Son yıllarda ZnS yarıiletken filmlere geçiş elementlerinin katkılanması sonucunda spintronik ve opto-elektronik teknolojisinde önemli gelişmelerin sağlanmasında katkısı bulunmaktadır. Bu çalışmada katkısız ve farklı oranlarda geçiş elementleri katkılı ZnS ince filmler Ultrasonik Spray Pyrolysis tekniği ile mikroskop cam tabanlar üzerine üretilecektir. ZnS filmlerine manyetik özellik kazandırmak amacıyla Fe ve Ni gibi geçiş elementleri katkı elementi olarak tercih edilecektir. Üretilen filmlerin bazı fiziksel özellikleri incelenerek, geçiş elementlerinin ZnS ince filmlerinin fiziksel özellikleri üzerindeki etkisi araştırılacaktır. ZnS filmlerinin optiksel, elektriksel, magnetik, yapısal ve yüzeysel özellikleri sırasıyla UV-Vis spektrofotometre, dört-uç metodu, titreşen örnek magnetometresi (VSM), x-ışını difraktometresi (XRD) ve atomik kuvvet mikroskobu (AFM) ile incelenecektir. Tüm elde edilen analiz sonuçlarından, katkılı ve katkısız ZnS filmlerinin spintronik devrelerde, opto-elektronik endüstrisinde ve fotovoltaik güneş pillerinde uygulama potansiyelleri araştırılacaktır.In this thesis, ZnS thin films from II-VI group compounds are used as light emitting diodes in visible region due to their wide band range of 3,5-3,7 eV at room temperature in the field of opto-electronics and hopefulness in the design of various electronic devices. In recent years, as a result of the doping of the transition elements of ZnS semiconducting films, there is a contribution in achieving significant improvements in spintronic and opto-electronic technology. In this study, undoped and ZnS thin films doped with transition elements at the different proportions will be produced on microscope glass substrate by Ultrasonic Spray Pyrolysis technique. In order to give magnetic properties to ZnS films, transition elements such as Fe and Ni will be preferred as additive elements. By examining some physical properties of the produced films, the effect of transition elements on the physical properties of ZnS thin films will be investigated. The optical, electrical, magnetic, structural and surface properties of the ZnS films will be examined by UV-Vis spectrophotometer, four-probe method, vibrating sample magnetometer (VSM), x-ray diffractometer (XRD) and atomic force microscope (AFM), respectively. From all the obtained analysis results, we will investigate the application potentials of the doped and undoped ZnS films in spintronic circuits, optoelectronic industry and photovoltaic solar cells.trinfo:eu-repo/semantics/openAccessFizik ve Fizik MühendisliğiPhysics and Physics EngineeringMaster Thesis1126597123